Die Diode hat eine Durchbruchspannung von 400 V und eine Stromtragfähigkeit von 50 A bei einer Gehäusetemperatur von +150° C. Die hohe Stoßstromfestigkeit erlaubt sehr hohe Spitzenströme wie sie beispielsweise bei Einschaltvorgängen in Schaltkreise mit hohem kapazitivem Anteil auftreten können. Der niedrige Spannungsabfall in Durchlassrichtung erzeugt nur geringe stationäre Verluste und sorgt für einen guten Wirkungsgrad.
Das axiale Knopfgehäuse mit dem hochwertigen Dioden-Chip hat im Vergleich mit herkömmlichen Gleichrichterdioden eine höhere Leistungsdichte und bietet mehr Designflexibilität. Zusätzlich erhöht das hermetisch abgeschlossene Gehäuse den Schutz in rauen Umgebungen und verbessert die Langzeitzuverlässigkeit der Anwendung.
Die QMR500AL Diode ist ideal geeignet für ein breites Spektrum an Gleichrichteraufgaben wie z.B. Verpolungsschutz-Schaltungen in batteriebetriebenen Automobil- oder Industrieanwendungen, bei denen der Markt passende Lösungen mit wenigen Schaltungskomponenten, geringer Komplexität aber sehr hoher Zuverlässigkeit bei geringen Kosten verlangt.
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